擁有完整的Trench Mos產(chǎn)品體系，電壓范圍從-12V~200V
G5 SGT 工藝設(shè)計,新型結(jié)構(gòu)SGT制作方法,更低的Qg 和Ciss Coss Crss，提高EAS能力。
| 對比指標 | 普通Trench MOS | G5 SGT MOS |
|---|---|---|
| BVDSS | 60V | 60V |
| VGS | 100A | 100A |
| Qg | 58nC | 17.8nC |
| Ciss | 3450PF | 1625PF |
| Coss | 1522PF | 438PF |
| EAS | 101mJ | 180mJ |
擁有30V、40V、60V、80V、100V、150V、200V、250V、300V的產(chǎn)品系列
在同等面積一樣的情況下，SGT最小導通電阻比Trench MOS更小，芯核產(chǎn)熱小
大幅降低傳導和開關(guān)損耗，明顯提升系統(tǒng)效率
主要應(yīng)用在電機驅(qū)動系統(tǒng)、逆變器、電源管理系統(tǒng)
已成功研發(fā)600V~1200V SJ MOSFET，采用多次外延工藝制作，與trench工藝相比，具有優(yōu)異的抗EMI及抗浪涌能力，采用電荷平衡理論的器件結(jié)構(gòu)，Ronsp明顯下降，可集成快恢復二極管
